Home » أهم الأخبار » Biwin تُعلن عن إطلاق مجموعة ذاكرة DDR5 بسعة 192 جيجابايت

أعلنت شركة Biwin المتخصصة عالميًا في تقنيات الذاكرة والتخزين، عن أحدث حلولها في مجال الذاكرة عالية السعة، من خلال طرح مجموعة الذاكرة “Biwin Black Opal OC Lab Gold Edition DW100 RGB DDR5” بسعة 192 جيجابايت.

وجاء الإعلان الرسمي عن المجموعة الجديدة في 18 يونيو 2025 بمدينة شينزن الصينية، حيث توفر الذاكرة تكوينًا بسعة 192 جيجابايت (48 جيجابايت × 4)، معتمدةً على مواصفات DDR5-6000 CL28-36-36-102 بجهد 1.4 فولت.

وأوضحت “بيوين” أن هذه المجموعة الجديدة تمثل اختراقًا لحواجز السعة التقليدية في ذواكر المستهلكين، وقد صُممت لتلبية متطلبات الأداء العالية في تطبيقات الحوسبة المعززة بالذكاء الاصطناعي، ومعالجة البيانات واسعة النطاق، وأعباء العمل المتقدمة من الجيل الجديد.

توفر ذاكرة DW100 سرعة معالجة عالية فور الاستخدام، ما يعزز أداء الحوسبة المعتمدة على الذكاء الاصطناعي، ونماذج اللغة الكبيرة (LLMs)، والذكاء الاصطناعي التوليدي، بالإضافة إلى مهام الحوسبة الطرفية (Edge Computing).

وقد تم تطوير هذه المجموعة لتحقيق زمن استجابة فائق الانخفاض واستجابة نظامية عالية، حيث تعمل بتردد DDR5-6000 مع توقيتات محسّنة وإشارة محسّنة لتعزيز مستوى الأداء.

وأكدت “بيوين” أن سرعة DDR5 6000 MT/s تُعد النقطة المثالية لأداء منصات AMD، إذ تضمن كفاءة التوسّع في الذاكرة، وثبات التشغيل، وتحسين الكفاءة العامة للنظام في ظل الأحمال الشديدة.

وتشمل أبرز مزايا الأداء ما يلي:

  • توقيت CL28 لضمان وصول أسرع وثبات أعلى
  • تصميم محسّن للحوسبة المتوازية والاستدلال الفوري في تطبيقات الذكاء الاصطناعي

تتوافق مجموعة الذاكرة مع لوحات MSI وASUS وGigabyte من طرازي X870 وB850، وقد أوصت “بيوين” المستخدمين بالرجوع إلى المواقع الرسمية للوحات الأم للتحقق من التوافق الكامل.

كما تدعم المجموعة تقنية AMD EXPO، مما يُتيح للمستخدمين ضبط الأداء ورفع التردد بسهولة من خلال واجهة BIOS، لتحقيق أداء مثالي على منصات AMD من الجيل الجديد.

ومن المتوقع أن تتوفر مجموعة ذاكرة DW100 في أسواق مختارة اعتبارًا من أواخر يونيو 2025، بسعر يُقارب 849 دولارًا أمريكيًا.

وتستهدف هذه المجموعة عالية الأداء المحترفين ومطوري الذكاء الاصطناعي وهواة التقنية، حيث تجمع بين السعة العالية، والأداء منخفض الكمون، وإمكانات كسر السرعة القوية.

وقد جرى تطوير هذه الذاكرة داخل مختبر “OC Lab” التابع لشركة بيوين، والمخصص لتحقيق أداء نخبوي في كسر السرعة، حيث يتم اختيار أفضل المواد شبه الموصلة، ودفع حدود تصميم الذاكرة لتجاوز المعايير التقليدية.

لمزيد من المعلومات، يُرجى زيارة الموقع الرسمي:

www.biwintech.com